江蘇芯緣半導(dǎo)體有限公司
Jiangsu Thankyou Semiconductor Co.,Ltd.
1 ) 華為2026年或占中國AI芯片市場50%份額
12月4日，全球知名股權(quán)研究公司Bernstein Research最新報告指出，華為在人工智能芯片領(lǐng)域的持續(xù)投入預(yù)計將在2026年迎來顯著回報。報告預(yù)測，到2026年，華為將占據(jù)中國AI芯片市場50%的份額，成為該領(lǐng)域的絕對領(lǐng)導(dǎo)者。與此同時，英偉達的市場份額將從目前的39%大幅萎縮至8%，美國芯片公司AMD預(yù)計以12%的份額排名第二，寒武紀(jì)可能位列第三。
Bernstein Research的報告顯示，目前英偉達以39%的市場份額位居中國AI芯片市場首位，華為以相近的份額緊隨其后。然而，到2026年，市場格局將發(fā)生翻天覆地的變化，華為將占據(jù)中國AI芯片市場50%的份額，成為絕對領(lǐng)導(dǎo)者。
報告進一步預(yù)測，到2028年，中國本土AI芯片產(chǎn)量將超過國內(nèi)需求，供應(yīng)-需求比例預(yù)計達到104%。2026年這一比例將為39%，而本土AI芯片銷售額在未來三年內(nèi)的復(fù)合年增長率（CAGR）預(yù)計高達74%，到2028年銷售額可能增長93%。
這一預(yù)測突顯了中國在AI半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的快速自主化進程。如果成真，華為昇騰（Ascend）AI芯片及中國本土人工智能半導(dǎo)體技術(shù)將在全球市場占據(jù)更重要的地位。
黃仁勛的警告與Bernstein的報告形成呼應(yīng)。12月3日，在華盛頓智庫美國戰(zhàn)略與國際問題研究中心（CSIS）舉辦的一場活動上，英偉達CEO黃仁勛警告稱，如果美國企業(yè)放任華為等中國競爭對手搶占市場，中國將很快尋求向全球輸出其人工智能技術(shù)。
黃仁勛表示："你不可能取代中國市場。我們不應(yīng)該把整個市場拱手讓給他們……我們應(yīng)該去爭取它。"他進一步指出，如果將中國市場拱手讓給其本土企業(yè)，還將為中國向其他國家輸出先進技術(shù)創(chuàng)造便利條件。
2 ) 韓國專家談長鑫DDR5內(nèi)存，中韓內(nèi)存技術(shù)差距幾乎消失
近日，長鑫存儲正式發(fā)布最新的DDR5和LPDDR5X產(chǎn)品，挑戰(zhàn)韓美先進存儲大廠。
據(jù)長鑫介紹，最新DDR5系列最高速率達8000Mbps，最高顆粒容量24Gb，均達到國際領(lǐng)先水平，并同步推出覆蓋服務(wù)器、工作站及個人電腦全領(lǐng)域的七大模組產(chǎn)品。 此外，長鑫還展示了上個月已經(jīng)發(fā)布的LPDDR5X產(chǎn)品。該系列針移動市場旗艦產(chǎn)品，最高速率 10667Mbps，最高顆粒容量 16Gb，并涵蓋 12GB、16GB、24GB、32GB 等容量的多種封裝解決方案。 這組數(shù)字意味著：DDR5的高端市場——特別是 7000 Mbps 以上的領(lǐng)域——曾被視作三星、SK海力士和美光國際三巨頭的專屬領(lǐng)地，如今已被長鑫強勢打破，中國企業(yè)正式擁有了與國際巨頭分庭抗禮的話語。
今年稍早時，市場曾出現(xiàn)由中國企業(yè)生產(chǎn)的少量DDR5內(nèi)存，但這次是長鑫存儲作為代表，首度正式展示實際產(chǎn)品。 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)指出，長鑫存儲展示內(nèi)存性能值得關(guān)注，其DDR5最大速度8000Mbps，比上一代產(chǎn)品（6400 Mbps）提升25%，在技術(shù)路線上至少已追上韓國公司。 業(yè)界人士認(rèn)為，長鑫存儲的性能足以應(yīng)用于搭載最先進CPU的服務(wù)器。 根據(jù)韓媒 Business Korea引述日經(jīng)及研調(diào)機構(gòu)Counterpoint Research的數(shù)據(jù)，長鑫存儲第三季DRAM市占率達8%，排名第四。 在NAND部分，長江存儲第三季度市占率為13%。
中韓存儲技術(shù)差距與未來競爭
由于美國封鎖EUV等關(guān)鍵設(shè)備出口中國，使得中國擴張腳步放緩，但與韓國在通用DRAM市場的技術(shù)差距約不到一年。 韓媒認(rèn)為，隨著2030年迎來3D DRAM時代，競爭關(guān)系可能又會出現(xiàn)變數(shù)。3D DRAM是將內(nèi)存單元向上堆疊的產(chǎn)品，當(dāng)3D DRAM時代來臨時，對EUV光刻設(shè)備的需求將下降，這可能成為中國企業(yè)超車的機會。 首爾大學(xué)材料科學(xué)與工程系Hwang Cheol-seong教授表示，單看內(nèi)存技術(shù)水平，韓國與中國的差距幾乎已經(jīng)消失。 當(dāng)不需要EUV光刻設(shè)備的3D DRAM時代在五年后到來時，中國將進一步崛起。
除了顆粒夠強，長鑫這次還一口氣發(fā)布了包括 UDIMM、CUDIMM、SODIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM 以及 TFF MRDIMM 在內(nèi)的七大模組形態(tài)。 一句話總結(jié)：從每個人的超薄筆記本，到數(shù)據(jù)中心的算力怪獸，長鑫這次全包圓了。 特別值得注意的是，長鑫不僅拿出了面向消費級發(fā)燒友的 CUDIMM、CSODIMM（帶時鐘驅(qū)動的內(nèi)存），更展示了面向服務(wù)器的 MRDIMM 和 TFF MRDIMM。這兩種模組代表了目前存儲行業(yè)的最高技術(shù)難度，是專門為解決服務(wù)器“內(nèi)存墻”問題而生的。能把這些硬骨頭啃下來，說明長鑫已經(jīng)具備了為全球頂級服務(wù)器廠商提供系統(tǒng)級解決方案的能力。
3 ）英特爾18A良率顯著提升、先進封裝受益CoWoS“溢出效應(yīng)”
近日，在瑞銀全球科技與人工智能會議上，英特爾副總裁John Pitzer透露，公司最新一代Intel 18A制程良率已實現(xiàn)“驚人提升”，并將于2026年1月正式推出采用該工藝的Panther Lake芯片。
這一進展不僅打消了外界對其技術(shù)能力的疑慮，更標(biāo)志著英特爾代工服務(wù)（IFS）正從“自救”走向“外拓”的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折。
Intel 18A是英特爾對標(biāo)臺積電3nm、三星SF3的先進節(jié)點，采用RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管與PowerVia背面供電技術(shù)，旨在提升性能、降低功耗。
根據(jù)英特爾內(nèi)部實測數(shù)據(jù)，在RibbonFET和PowerVia的雙重加持下，Intel 18A制程展現(xiàn)出了驚人的能效比：較上一代產(chǎn)品在相同功耗下性能提升超15%，相同性能下功耗降低25%以上，晶體管密度更是提升30%，單芯片集成上百億晶體管。
目前，基于Intel 18A制程的首款客戶端SoC——代號為Panther Lake的下一代AI PC處理器，正在英特爾最新的晶圓廠進行生產(chǎn)。
值得一提的是，英特爾代工部門的先進封裝業(yè)務(wù)也在取得突破。隨著臺積電CoWoS封裝產(chǎn)能持續(xù)緊張，大量AI芯片客戶被迫尋找替代方案。正是這一“溢出效應(yīng)”，讓英特爾的EMIB、EMIB-T和Foveros等先進封裝技術(shù)成為部分廠商新的選擇。
面對市場關(guān)于“分拆代工部門”的猜測，Pitzer明確否認(rèn)，并強調(diào)管理層對IFS的信心“比幾個月前更強”。外部客戶的雙重興趣——既關(guān)注18A制程，也依賴先進封裝——成為支撐這一信心的核心依據(jù)
如果Intel 18A制程的良品率穩(wěn)步提升，其Panther Lake的實際表現(xiàn)也如英特爾宣稱的那樣，那么該公司不僅可以在PC市場穩(wěn)固自身現(xiàn)有的份額根基，還極有可能憑借18A制程向外界充分展示其代工服務(wù)所具備的技術(shù)實力，進而在2026年及之后的代工市場中搶占一定的份額。
4 ）臺積電A14工藝曝光
臺積電在其歐洲OIP論壇上展示的一張幻燈片清晰地闡述了其將于2028年推出的A14（1.4nm級，正面供電）制程工藝相比其前代產(chǎn)品N2（2nm級，正面供電）的優(yōu)勢。結(jié)果表明，A14在相同功耗和復(fù)雜度下性能提升16%，在相同時鐘頻率和復(fù)雜度下功耗降低27%。然而，為了充分發(fā)揮下一代制造技術(shù)的潛力，芯片設(shè)計人員可能需要使用更智能的電子設(shè)計自動化（EDA）工具。
當(dāng)代工廠發(fā)布新的工藝技術(shù)時，通常會公布一系列特性，以展現(xiàn)不同代際工藝之間的相對差異。隨著生產(chǎn)節(jié)點的不斷推進，芯片制造商往往會獲得更多關(guān)于其性能的數(shù)據(jù)，并隨著時間的推移逐步明確其特性。臺積電的A14工藝正是如此。此前，該公司表示，與N2工藝相比，在相同的功耗和晶體管數(shù)量下，A14工藝的性能將提升10%至15%；在相同的時鐘頻率和復(fù)雜度下，功耗將降低25%至30%；混合芯片的晶體管密度也將提升約20%。而從幻燈片來看，新節(jié)點的性能將略高于預(yù)期，但功耗方面則保持在預(yù)期值的中等水平。
臺積電展示這張幻燈片是為了說明其工藝技術(shù)的可擴展性，旨在表明盡管摩爾定律增速放緩并面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，但它仍然有效。然而，這張幻燈片僅列出了主要的主流制程節(jié)點，而省略了N3B（主要由蘋果和英特爾使用）以及N3P和N2P等節(jié)點間升級。雖然提及N3X、N2X和A16是合理的，因為這些制程技術(shù)針對特定應(yīng)用，但缺少節(jié)點間升級的信息在一定程度上模糊了它們的重要性及其帶來的進步，也未能突出多年來取得的顯著進展。
根據(jù)幻燈片顯示，從N7（2018年工藝節(jié)點）升級到A14（2028年工藝節(jié)點），在相同功耗水平下性能提升1.83倍，能效提升4.2倍，這看起來非常顯著。然而，這兩項技術(shù)之間相隔十年之久。臺積電還指出，每一代新的主要工藝節(jié)點相比上一代節(jié)點都能降低約30%的功耗。相比之下，主要節(jié)點的性能提升幅度僅為15%至18%，這在一定程度上表明，臺積電在設(shè)計這些制造工藝時，更關(guān)注的是功耗控制。
有趣的是，除了臺積電的制程節(jié)點之外，還有其他方法可以提高設(shè)計的能效。例如，芯片設(shè)計人員可以使用人工智能增強的 Cadence Cerebrus AI Studio 和 Synopsys DSO.ai 等自動化布局布線 (APR) EDA 工具，這些工具利用強化學(xué)習(xí)技術(shù)探索更廣泛的優(yōu)化空間，涵蓋各種制造工藝和布局，并自動調(diào)整設(shè)計參數(shù)和布局方案，從而提升性能、降低功耗并縮小面積 (PPA)。 根據(jù)幻燈片顯示，這種方法通過優(yōu)化APR流程可節(jié)省5%的功耗，通過優(yōu)化金屬層方案可額外提升2%的性能，總功耗節(jié)省達7%，與臺積電通過節(jié)點間優(yōu)化所能達到的節(jié)能效果相當(dāng)。當(dāng)然，此類數(shù)據(jù)僅供參考，因為并非所有設(shè)計都能優(yōu)化到如此程度。不過，不可否認(rèn)的是，EDA工具（尤其是更智能的APR工具）在利用現(xiàn)代制造技術(shù)實現(xiàn)更高性能和更低功耗方面發(fā)揮著越來越重要的作用。
5 ) 黃仁勛2025年多次在美國智庫及公開交流場合，系統(tǒng)闡述了他眼中“中國AI的優(yōu)勢”。歸納起來有6條：
1. 人才體量與結(jié)構(gòu)
全球約50%的AI研究人員具有中國高校本科背景；在保爾森基金會智庫的統(tǒng)計里，頂尖AI研究者中47%畢業(yè)于中國大學(xué)，美國僅為18%。黃仁勛強調(diào)“這是一股結(jié)構(gòu)性力量”，且由于簽證與產(chǎn)業(yè)機會變化，海外華人人才正在加速回流。
2. 開源模型與迭代速度
他認(rèn)為美國前沿模型大約只領(lǐng)先半年，但“開源生態(tài)中國遙遙領(lǐng)先”。DeepSeek、阿里、百度等發(fā)布的開源大模型在Hugging Face與伯克利盲測榜長期霸榜，使初創(chuàng)企業(yè)、高校和制造業(yè)都能零成本接入并快速改進。
3. 能源-算力一體化優(yōu)勢
中國年發(fā)電量已是美國的兩倍以上，且綠電占比高；國家把“東數(shù)西算”與可再生能源捆綁，數(shù)據(jù)中心可獲得接近“免費”的電力補貼。“用電力補算力”放大了國產(chǎn)芯片的可用性，也抵消了先進制程受限的影響。
4. 硬件-軟件-場景閉環(huán)
復(fù)雜而高效的供應(yīng)鏈讓“硬件迭代一周、軟件當(dāng)天更新”成為常態(tài)；從小米AI眼鏡到宇樹機器人，新產(chǎn)品能在最短時間內(nèi)完成“樣機-量產(chǎn)-市場驗證”閉環(huán)，這種垂直整合能力被黃仁勛稱為“建設(shè)速度令人敬畏”。
5. 政策與市場規(guī)模
監(jiān)管路徑更務(wù)實，中央-地方協(xié)同把AI當(dāng)成“新基建”來投；龐大的國內(nèi)用戶與數(shù)據(jù)規(guī)模讓模型一上線就能“跑量”，快速積累改進樣本。
6. 自主芯片與生態(tài)突圍
華為昇騰、寒武紀(jì)思元等已做出可對標(biāo)A100的集群方案，更重要的是它們配套CANN、Neuware等兼容層，CUDA代碼幾乎不用改就能遷移，“英偉達的護城河正在被拆掉”。
因此，黃仁勛在智庫會上給出的結(jié)論可以概括為：“中國擁有最大的人才庫、最快的建設(shè)速度、最強的開源生態(tài)和能源-制造一體化優(yōu)勢；一旦形成自己的技術(shù)棧，就會以你想象不到的速度向外擴散。
6 ）美國允許出口英偉達H200芯片到中國可能帶來以下幾方面的結(jié)果
1. 對英偉達和美國芯片產(chǎn)業(yè)的利好
- 營收恢復(fù)：中國市場曾是英偉達最大市場之一，占其數(shù)據(jù)中心收入約25%。解禁H200將幫助英偉達恢復(fù)數(shù)十億美元的潛在收入，緩解因出口限制造成的銷售下滑壓力。
- 股價提振：特朗普宣布消息后，英偉達股價盤后上漲逾2%，并帶動AMD、英特爾等芯片公司股價走高。
- 政策擴展預(yù)期：特朗普表示，這一政策也將適用于AMD、英特爾等其他美國芯片公司，可能帶動整個美國半導(dǎo)體行業(yè)對中國市場的出口恢復(fù)。
2. 對中國AI產(chǎn)業(yè)的影響
- 技術(shù)能力提升：H200性能是此前允許出口的H20芯片的6倍，能顯著提升中國AI模型訓(xùn)練和推理能力，使部分中國AI實驗室具備接近美國水平的超算能力。
- 短期依賴加劇：盡管中國正推進國產(chǎn)替代（如華為昇騰芯片），但H200仍顯著優(yōu)于本土產(chǎn)品。短期內(nèi)，中國AI企業(yè)可能繼續(xù)依賴進口高端芯片。
- 政策反應(yīng)不確定：中國官方此前對美國芯片提出過“安全后門”質(zhì)疑，是否允許大規(guī)模采購H200仍需觀察北京的政策立場。
3. 對中美科技競爭格局的影響
- 戰(zhàn)略妥協(xié)信號：此次出口許可被視為“中間路線”——既不放行最先進的Blackwell芯片，也不完全封鎖，以避免刺激中國加速技術(shù)自主。
- 美國國內(nèi)爭議：部分政界人士和專家擔(dān)憂，此舉可能幫助中國提升軍事AI能力，削弱美國的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，甚至被認(rèn)為是“國家安全上的倒退”。
- 中國反制因素：在美國放松芯片出口的同時，中國也在加強對稀土等關(guān)鍵材料的出口管控，未來可能以資源限制作為反制手段。
總結(jié)：美國允許出口H200芯片到中國，是一次具有戰(zhàn)略意味的政策調(diào)整，既試圖恢復(fù)美國企業(yè)的市場份額，也希望通過“次優(yōu)技術(shù)”維持對中國的技術(shù)控制。短期內(nèi)，這將利好英偉達和部分中國AI企業(yè)，但長期來看，可能加速中美在AI和半導(dǎo)體領(lǐng)域的博弈與分化。
7 ）傳北方華創(chuàng)攻克90:1深孔刻蝕，可助300層3D NAND制造
根據(jù)瑞銀（UBS）近日的一份報告，中國半導(dǎo)體設(shè)備龍頭企業(yè)北方華創(chuàng)（NAURA）在90:1高縱橫比（High Aspect Ratio, HAR）深孔刻蝕技術(shù)上取得重大進展，將有望支持300層以上3D NAND閃存的制造。
3D NAND技術(shù)是當(dāng)前存儲芯片發(fā)展的核心方向。為提升存儲密度，廠商不斷堆疊存儲單元層數(shù)——從早期的64層、128層，到如今的200層以上，并加速向300層甚至更高演進。
對于300層以上的NAND，深寬比需達到90:1甚至100:1，這對刻蝕精度、均勻性、垂直度和工藝穩(wěn)定性提出了極致要求，被公認(rèn)為半導(dǎo)體制造中最苛刻的工藝之一。
長期以來，此類高端刻蝕設(shè)備市場由美國泛林（Lam Research）、日本東京電子（TEL）等國際巨頭壟斷。然而，在美國對華實施半導(dǎo)體設(shè)備出口管制、先進存儲與成熟制程設(shè)備遭禁運的背景下，國產(chǎn)替代已從“可選項”變?yōu)椤氨剡x項”。北方華創(chuàng)此次技術(shù)進展，正是在這一戰(zhàn)略窗口期的關(guān)鍵突破。
值得一提的是，國內(nèi)另一家刻蝕龍頭中微公司此前已宣布實現(xiàn)90:1深孔刻蝕能力，并正攻關(guān)100:1技術(shù)。
8 ) 如果H200 順利通關(guān)、25% 出口稅落地，它在中國有多大市場
1. 總潛在市場
黃仁勛與瑞銀、William Blair 等口徑一致：中國 AI 加速卡市場 2025 年總需求約 200 萬張卡，對應(yīng)整機/系統(tǒng)銷售額 500 億美元。
2. 國產(chǎn)化缺口
國內(nèi)替代方案（昇騰、寒武紀(jì)、壁仞等）2025 年合計只能滿足約 100 億美元，相當(dāng)于 20% 的份額，剩下 400 億美元（≈160 萬張卡）在性能、生態(tài)或產(chǎn)能上仍依賴進口。
3. H200 可切到的“蛋糕”
- 云服務(wù)商（CSP）與大型互聯(lián)網(wǎng)廠是 H200 主戰(zhàn)場，這塊需求約 140 萬張卡、350 億美元。
- 若英偉達拿到其中 60%–70% 的訂單（其余被國產(chǎn)卡、AMD、Intel 分食），對應(yīng) 200–250 億美元收入；按 25% 出口稅倒推，中國客戶實際支付 250–310 億美元。
- 考慮到許可證審批、用戶預(yù)算節(jié)奏和可能的分季度配額，2026 年內(nèi)能確認(rèn)的收入普遍被模型折半——即 120–150 億美元左右，對應(yīng) 8–10 萬張 H200 卡。
4. 敏感度
- 若北京進一步設(shè)置“最終用戶白名單”或配額，出貨量下限可能只剩 4–5 萬張卡，收入 60–80 億美元。
- 若國產(chǎn) 910C、BR2600 等延遲放量，英偉達份額可再抬升到 80%，上限收入 180–200 億美元（≈12–13 萬張卡）。
結(jié)論
“政策中性”情形下，H200 在 2026 日歷年有望為中國市場帶來 120–150 億美元的銷售（約 8–10 萬張卡），占中國 AI 加速市場總體規(guī)模的 25–30%，占英偉達全球數(shù)據(jù)中心收入 8–10%。如果審批收緊或國產(chǎn)替代超預(yù)期，實際數(shù)字可能下修至 60–80 億美元；反之若替代芯片延期，則有望沖擊 180–200 億美元。
9 ）光刻機進口的現(xiàn)狀
美國從2022年10月就開始收緊對華芯片出口管制，拉著荷蘭和日本一起行動。荷蘭有阿斯麥這家光刻機大廠，本來在2023年3月跟進，禁止最先進的EUV和部分DUV賣給中國大陸。
但實際操作中，他們只限高端型號，中低端如用于28納米的1980Di還能繼續(xù)出口。到了2024年，阿斯麥對華銷售占比一度沖到49%，幫公司穩(wěn)住業(yè)績。
日本那邊則在2023年7月實施23類設(shè)備管制，涵蓋蝕刻和測試工具，主要針對10到14納米工藝。
荷蘭政府在2025年1月悄然調(diào)整，把大部分對華DUV銷售從雙重用途出口統(tǒng)計中剔除，不用公開審查。
阿斯麥的CEO傅恪禮在2025年10月財報會上說，中國過去兩年買得特別多，但2026年會降下來。
可現(xiàn)實是，2025年第三季度，中國業(yè)務(wù)還占公司總收入的42%，凈銷售75億歐元。荷蘭首相斯霍夫也表態(tài)，希望自己決定對華政策，不完全聽美國的。
日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省從2023年1月就要求尼康和佳能停售浸沒式光刻機，導(dǎo)致2024年對華出口額掉20%，損失至少30億美元。企業(yè)像東京電子，訂單轉(zhuǎn)向東南亞，但恢復(fù)慢。
日媒直言，日本跟美國太緊，結(jié)果企業(yè)吃虧。
荷蘭阿斯麥在北京擴建維修中心， 2025年3月運營，占地翻倍，備件齊全，14納米線良率升了15%。這讓中國工廠停機時間少三成，生產(chǎn)更穩(wěn)。2025年6月，荷蘭啟動獨立審批，繼續(xù)放行中低端設(shè)備到中國指定廠。
日本媒體直喊，我們上當(dāng)了，本以為大家一起封，結(jié)果荷蘭鉆空子。
美國在2024年12月2日又出新規(guī)，限D(zhuǎn)UV計量工具出口，阿斯麥說2025年銷售預(yù)期不變。中國市場對阿斯麥太重要，2023年貢獻27億歐元，占總營收15%。
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