江蘇芯緣半導(dǎo)體有限公司
Jiangsu Thankyou Semiconductor Co.,Ltd.
1 ) 芯片的未來不在制程而在0.5微米的鍵合精度
當(dāng)人們將焦點(diǎn)聚集在模型規(guī)模、訓(xùn)練數(shù)據(jù)與芯片算力時(shí)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的結(jié)構(gòu)性變革正悄然發(fā)生——從摩爾定律的放緩，到Chiplet架構(gòu)與異構(gòu)集成的崛起，先進(jìn)封裝成為新的性能突破口。
SEMI 數(shù)據(jù)顯示，2024 年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)銷售額達(dá)到 1170 億美元，同比增長(zhǎng)約 10%。其中組裝/封裝環(huán)節(jié)的占比雖小，但正是這個(gè)曾被邊緣化的環(huán)節(jié)，正在成為決定AI芯片成敗的關(guān)鍵變量。
1. 設(shè)計(jì)面積極限已至，Chiplet+封裝成為新范式
傳統(tǒng)SoC設(shè)計(jì)逐漸逼近光刻掩膜極限——NVIDIA H100芯片已接近800mm2，而Rubin Ultra更是突破Reticle邊界。這迫使芯片架構(gòu)向Chiplet演進(jìn)，以模塊化方式解決良率和擴(kuò)展問題。
可實(shí)現(xiàn)<1微米級(jí)互連精度，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)Flip Chip或TCB；
支持3D堆疊與高帶寬互聯(lián)，特別適用于AI和HBM架構(gòu)；
顯著降低互連功耗與熱阻，優(yōu)化能效比。
2. 數(shù)據(jù)、爆炸倒逼“連接效率”革命
以HBM為例，從HBM2/2E到HBM3/3E，再到預(yù)計(jì)2026年商用的HBM4/5，堆疊層數(shù)將從8層提升到16層甚至更高，封裝壓力指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。
可實(shí)現(xiàn)<1微米級(jí)互連精度，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)Flip Chip或TCB；
支持3D堆疊與高帶寬互聯(lián)，特別適用于AI和HBM架構(gòu)；
顯著降低互連功耗與熱阻，優(yōu)化能效比。
混合鍵合的單位互聯(lián)成本相比傳統(tǒng)方式降低 10 倍以上；
可降低HBM芯片堆疊溫度約 20%，顯著緩解高性能計(jì)算熱瓶頸；
與之配套的設(shè)備（如TCB、Hybrid Bonding）正快速量產(chǎn)化。
混合鍵合設(shè)備年均復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）達(dá) >41%；
到 2030 年，高端封裝市場(chǎng)預(yù)計(jì)將突破 165 億歐元（約 180 億美元），其中 Hybrid Bonding 成為核心賽道。
芯片不是被設(shè)計(jì)出來的，而是被“精準(zhǔn)粘合”的。
AI芯片的盡頭，是封裝的起點(diǎn)。
在制程紅利逐漸枯竭、性能瓶頸頻現(xiàn)的今天，封裝早已不再是低附加值環(huán)節(jié)。
它決定了功耗路徑、通信延遲、帶寬瓶頸，也重新定義了芯片設(shè)計(jì)邊界。從數(shù)據(jù)中心的XPU，到邊緣的AI PC、智能駕駛、AR眼鏡，每一項(xiàng)未來技術(shù)的實(shí)現(xiàn)路徑，都繞不開高密度異構(gòu)封裝。
封裝精度達(dá) 0.5 微米，適用于 Chiplet 對(duì)接；
單設(shè)備最大產(chǎn)能可達(dá) 2500 顆/小時(shí)；
產(chǎn)品覆蓋 Hybrid Bonding、TCB、Fluxless Bonding 等多種配置；
支持 16 層 HBM 堆疊 與 Photonics、CPO、AI XPU 封裝需求。
先進(jìn)封裝不再只是工藝問題，而是正在走向“架構(gòu)層”的系統(tǒng)生態(tài)。它連接的不僅是芯片，更是設(shè)計(jì)、制造、熱管理、光學(xué)、能效的集成邏輯。
2 ) 臺(tái)積電3nm是最終也是最優(yōu)異的FinFET技術(shù)
臺(tái)積電 3nm 相關(guān)工藝進(jìn)展
臺(tái)積電（中國(guó)）總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球指出 3nm 是最終且最優(yōu)異的 FinFET 技術(shù)。N3E 已實(shí)現(xiàn)旗艦移動(dòng)及 HPC/AI 產(chǎn)品量產(chǎn)，N3P 于 2024 年第四季度按計(jì)劃投產(chǎn)以接替 N3E；N3 系列還有 N3X（面向客戶端 CPU）、N3A（面向汽車領(lǐng)域）、N3C（面向價(jià)值級(jí)產(chǎn)品）等多種變體。
截至 2025 年 9 月，N3 系列已獲約 100 份 NTO，預(yù)計(jì)會(huì)成為高產(chǎn)量、長(zhǎng)期運(yùn)行的制程節(jié)點(diǎn)。
產(chǎn)業(yè)展望與臺(tái)積電技術(shù)承諾
羅鎮(zhèn)球認(rèn)為 2025 年 AI 正深刻改變行業(yè)，且將推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)成長(zhǎng)，預(yù)計(jì) 2030 年半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將突破 1 萬(wàn)億美元。 臺(tái)積電承諾提供三類最先進(jìn)技術(shù)：一是前述適配不同產(chǎn)品需求的 N3 系列先進(jìn)工藝；二是先進(jìn)封裝技術(shù)，其 SoIC 技術(shù)可支持 6μm bond pitch 的異質(zhì)芯片堆疊；三是硅光子技術(shù)，相較于銅纜，該技術(shù)的數(shù)據(jù)傳輸延時(shí)僅為前者的 1/20，功耗降低超 10 倍。
3 ) 狂砸30萬(wàn)億，SK海力士DRAM擴(kuò)產(chǎn)800%！
SK 海力士押注 AI 內(nèi)存超級(jí)周期，計(jì)劃明年將 1c DRAM 月產(chǎn)能從 2 萬(wàn)片飆升至 16-19 萬(wàn)片，增幅達(dá) 8-9 倍，超三分之一 DRAM 產(chǎn)能將聚焦該領(lǐng)域。
其 HBM4 已漲價(jià)超 50% 且售罄明年產(chǎn)能，疊加通用 DRAM 需求激增，2025 年?duì)I業(yè)利潤(rùn)預(yù)計(jì)破 70 萬(wàn)億韓元。
在AI內(nèi)存需求的強(qiáng)力驅(qū)動(dòng)下，SK海力士拋出震撼全球半導(dǎo)體業(yè)的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃：明年將第六代10納米DRAM（業(yè)內(nèi)簡(jiǎn)稱1c DRAM）月產(chǎn)能從當(dāng)前的2萬(wàn)片300mm晶圓，一舉飆升至16-19萬(wàn)片，8-9倍的增幅不僅創(chuàng)下尖端制程擴(kuò)產(chǎn)的紀(jì)錄，更標(biāo)志著行業(yè)資源向核心技術(shù)節(jié)點(diǎn)的集中傾斜。
這意味著SK海力士超過三分之一的DRAM總產(chǎn)能將聚焦1c DRAM，其利川園區(qū)通過現(xiàn)有產(chǎn)線工藝升級(jí)實(shí)現(xiàn)的14萬(wàn)片基礎(chǔ)增幅，已成為支撐這一戰(zhàn)略的核心引擎，部分業(yè)內(nèi)人士更透露實(shí)際產(chǎn)能或向17萬(wàn)片沖刺。
AI應(yīng)用從訓(xùn)練向推理場(chǎng)景的規(guī)模化延伸，正徹底重塑全球內(nèi)存市場(chǎng)的需求結(jié)構(gòu)。
此前行業(yè)聚焦高帶寬內(nèi)存（HBM）的單一邏輯被打破，通用DRAM憑借更優(yōu)的能效比與成本優(yōu)勢(shì)，成為AI推理的主流選擇。
三星為奪回DRAM市場(chǎng)主導(dǎo)權(quán)，敲定激進(jìn)擴(kuò)產(chǎn)目標(biāo)：2026年底將1c DRAM月產(chǎn)能提升至20萬(wàn)片，其中2025年底先達(dá)成6萬(wàn)片量產(chǎn)規(guī)模，2026年分兩階段再增14萬(wàn)片。
當(dāng)前三星DRAM月產(chǎn)量約65-70萬(wàn)片，新增產(chǎn)能占比將達(dá)三分之一，這一規(guī)模遠(yuǎn)超2022年半導(dǎo)體繁榮期13萬(wàn)片的擴(kuò)產(chǎn)力度。
SK海力士憑借技術(shù)壁壘筑牢盈利護(hù)城河，在HBM領(lǐng)域的定價(jià)權(quán)爭(zhēng)奪中斬獲關(guān)鍵勝利。
其與英偉達(dá)的HBM4供應(yīng)談判中，成功將價(jià)格推高逾50%，單顆突破500美元，這款產(chǎn)品將搭載于英偉達(dá)2025年下半年發(fā)布的Rubin芯片。
TrendForce數(shù)據(jù)顯示，2025年全球DRAM行業(yè)營(yíng)收將達(dá)2310億美元，這場(chǎng)由AI推理需求引爆的內(nèi)存超級(jí)周期，正推動(dòng)整個(gè)行業(yè)邁入前所未有的黃金發(fā)展階段。
4 ) 芯片漲價(jià)潮來了
隨著AI算力需求爆發(fā)與存儲(chǔ)行業(yè)超級(jí)周期的全面開啟，存儲(chǔ)芯片價(jià)格的持續(xù)飆升正引發(fā)全產(chǎn)業(yè)鏈的連鎖反應(yīng)。
以DDR5為例，短短一個(gè)月內(nèi)價(jià)格就暴增了102%，DDR4漲幅也超過90%。這場(chǎng)最初由存儲(chǔ)芯片開始的漲價(jià)風(fēng)暴，現(xiàn)已蔓延至SoC、GPU、被動(dòng)元件乃至整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。
存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的漲價(jià)風(fēng)暴來得異常猛烈。2025年下半年以來，全球存儲(chǔ)芯片行業(yè)迎來了一場(chǎng)罕見的普漲行情，進(jìn)入四季度后漲勢(shì)愈演愈烈。
根據(jù)市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，主流DDR5規(guī)格的16Gb顆粒在9月底的價(jià)格為7.68美元，一個(gè)月后竟跳增至15.5美元，單月漲幅高達(dá)102%；DDR4 16Gb的漲幅也超過92%。
三星電子DDR5-5600（16GB）DRAM的價(jià)格在兩個(gè)月內(nèi)更是從9月的69000韓元猛增至208050韓元，直接翻了三倍。前不久，三星電子更是直接宣布，將服務(wù)器內(nèi)存芯片的合約價(jià)格上調(diào)30% - 60%。其中，32GB DDR5內(nèi)存模塊的價(jià)格從9月的149美元急劇攀升至239美元，創(chuàng)下歷史最高的單次漲幅紀(jì)錄。
據(jù)了解，2023-2024年存儲(chǔ)行業(yè)資本開支降低了30%，而且產(chǎn)能擴(kuò)張周期長(zhǎng)達(dá)18-24個(gè)月。有業(yè)界人士預(yù)測(cè)，在2026年之前，供應(yīng)緊張的局面將持續(xù)存在 。
與過往的景氣周期不同，此輪存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的上行周期，其核心推手并非個(gè)人消費(fèi)電子，而是AI服務(wù)器。
AI大模型訓(xùn)練和推理所帶來的前所未有的存儲(chǔ)需求，徹底改寫了存儲(chǔ)行業(yè)的周期邏輯。AI服務(wù)器對(duì)存儲(chǔ)芯片的需求呈現(xiàn)“量?jī)r(jià)齊升”的特點(diǎn)。在數(shù)量上，單臺(tái)AI服務(wù)器的DRAM用量約為傳統(tǒng)服務(wù)器的8倍，NAND Flash用量也達(dá)到傳統(tǒng)服務(wù)器的3倍。
需失衡、芯片漲價(jià)：幾家歡喜幾家愁
針對(duì)本次漲價(jià)根源，可以簡(jiǎn)要?dú)w為幾點(diǎn)原因：
1. 供需失衡是根本原因：AI算力需求爆發(fā)式增長(zhǎng)，拉動(dòng)HBM、DDR5等高端存儲(chǔ)需求激增，而三星、SK海力士等頭部廠商此前減產(chǎn)且產(chǎn)能向高利潤(rùn)產(chǎn)品轉(zhuǎn)移，導(dǎo)致傳統(tǒng)與高端產(chǎn)品同時(shí)供應(yīng)短缺。 2. 成本傳導(dǎo)形成閉環(huán)：從金屬原材料到硅晶圓、基板，上游全鏈條價(jià)格上漲，疊加環(huán)保限產(chǎn)、設(shè)備交期延長(zhǎng)等因素，芯片制造成本持續(xù)攀升，最終通過漲價(jià)轉(zhuǎn)移至下游。 3. 市場(chǎng)預(yù)期強(qiáng)化趨勢(shì)：頭部廠商謹(jǐn)慎擴(kuò)產(chǎn)以維持高景氣度，現(xiàn)貨市場(chǎng)“一天一價(jià)”的現(xiàn)象加劇恐慌性備貨，進(jìn)一步推高價(jià)格，形成良性循環(huán)。
然而，以存儲(chǔ)芯片漲價(jià)為首的沖擊波正對(duì)消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)造成明顯沖擊。據(jù)界面新聞報(bào)道稱，多家手機(jī)廠商已經(jīng)暫緩了本季度的存儲(chǔ)芯片采購(gòu)。
小米、OPPO、vivo等廠商庫(kù)存普遍低于兩個(gè)月，部分廠商DRAM庫(kù)存低于三周，正在猶豫是否接受原廠接近50%的漲幅報(bào)價(jià)。小米集團(tuán)合伙人、總裁盧偉冰在微博上公開回應(yīng)Redmi K90系列不同版本差價(jià)過大的問題：“我們無法改變?nèi)蚬?yīng)鏈的走勢(shì)，存儲(chǔ)芯片成本上漲遠(yuǎn)高于預(yù)期，且會(huì)持續(xù)加劇。”
CFM閃存市場(chǎng)分析師對(duì)此表示，手機(jī)廠商們能接受的是逐季、溫和上漲，而不是在一個(gè)季度里跳漲40%。
面對(duì)困境，手機(jī)廠商們普遍采取了一種“小幅漲價(jià)+存儲(chǔ)芯片配置策略性下調(diào)”的方式。例如，原本計(jì)劃在某個(gè)價(jià)位段提供512GB ROM+16GB RAM的豪華配置，現(xiàn)在只能降格為512GB ROM+12GB RAM。廠商對(duì)運(yùn)行內(nèi)存（RAM）進(jìn)行小規(guī)格下調(diào)，通常不會(huì)給用戶的日常使用體驗(yàn)帶來明顯的差距。
然而，對(duì)于低端手機(jī)市場(chǎng)，沖擊更為猛烈。業(yè)內(nèi)人士指出，對(duì)于低端手機(jī)來說，硬件利潤(rùn)的空間一定會(huì)更有壓力。明年低端機(jī)型市場(chǎng)可能會(huì)出現(xiàn)出貨瓶頸，部分入門級(jí)機(jī)型甚至可能出現(xiàn)生產(chǎn)越多，虧損越多的局面。
TrendForce集邦咨詢也表示，由于存儲(chǔ)器供應(yīng)緊張狀況延續(xù)，規(guī)模較小的智能手機(jī)品牌資源取得難度加大，不排除該市場(chǎng)將進(jìn)入新一輪洗牌，大者恒大的趨勢(shì)將更為明確。
另一方面，這場(chǎng)由AI驅(qū)動(dòng)的存儲(chǔ)超級(jí)周期的到來，對(duì)于邏輯芯片代工廠而言，卻可能是一把“雙刃劍”。
中芯國(guó)際CEO趙海軍表示，存儲(chǔ)漲價(jià)對(duì)邏輯代工的兩大致命影響：其一是供應(yīng)鏈無法配套的風(fēng)險(xiǎn)。對(duì)于終端廠商而言，存儲(chǔ)芯片是產(chǎn)品關(guān)鍵物料，如果無法確保DRAM和NAND的足額供應(yīng)，他們自然會(huì)減少對(duì)PMIC、CIS、MCU和顯示驅(qū)動(dòng)等其他配套芯片的采購(gòu)，而這些芯片，正是中芯國(guó)際的主力產(chǎn)品。實(shí)際上，四季度是消費(fèi)電子晶圓代工的傳統(tǒng)淡季，開工情況反映的是明年第一、二季度的需求預(yù)期，在這種不確定性下，終端廠商對(duì)來年的生產(chǎn)規(guī)劃都相對(duì)保守。
其二是成本擠壓壓力，存儲(chǔ)芯片價(jià)格的暴漲，正在擠壓終端產(chǎn)品的利潤(rùn)空間。“手機(jī)的價(jià)格并不期待能夠上漲，”趙海軍直言，“客戶就希望別的芯片售價(jià)能夠降低，來平衡存儲(chǔ)器價(jià)格上漲。”
這意味著，即使中芯國(guó)際的產(chǎn)線處于滿載，其客戶芯片設(shè)計(jì)公司也正面臨來自下游終端廠商手機(jī)、汽車、家電廠商的巨大降價(jià)壓力。為了保住市場(chǎng)份額，芯片設(shè)計(jì)公司不得不壓縮利潤(rùn)，這股壓力最終會(huì)傳導(dǎo)至晶圓代工廠。
摩根士丹利預(yù)測(cè)，存儲(chǔ)行業(yè)在AI驅(qū)動(dòng)下開啟“超級(jí)周期”，預(yù)計(jì)2025年全球存儲(chǔ)收入有望達(dá)2000億美元，2027年將達(dá)到近3000億美元，正在推動(dòng)整個(gè)行業(yè)進(jìn)入結(jié)構(gòu)性增長(zhǎng)階段。
長(zhǎng)期來看，漲價(jià)潮將呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)性分化。AI驅(qū)動(dòng)的高端芯片（HBM、先進(jìn)制程SoC等）因技術(shù)壁壘高，供需緊張格局難以快速緩解；而消費(fèi)電子領(lǐng)域的中低端芯片，隨著產(chǎn)能調(diào)整與需求疲軟，2026年可能進(jìn)入價(jià)格調(diào)整階段。此外，在地緣政治因素、國(guó)產(chǎn)替代推進(jìn)等因素影響下，將進(jìn)一步重塑全球芯片市場(chǎng)的價(jià)格體系。
需要強(qiáng)調(diào)的是，芯片漲價(jià)潮或價(jià)格體系的重塑，或?qū)?huì)引發(fā)全球供應(yīng)鏈的重構(gòu)。例如，在供需不平衡的市場(chǎng)環(huán)境中，大型廠商能夠憑借規(guī)模優(yōu)勢(shì)，提前鎖定了原廠的大部分產(chǎn)能，而中小企業(yè)則只能被迫在現(xiàn)貨市場(chǎng)上爭(zhēng)奪所剩無幾的資源，使其處境愈發(fā)艱難。
芯片行業(yè)的周期輪轉(zhuǎn)從未停歇，這一輪漲價(jià)潮既是AI技術(shù)革命催生的結(jié)構(gòu)性機(jī)遇，也是全球供應(yīng)鏈重構(gòu)中的必然現(xiàn)象。
5 ) 存儲(chǔ)器漲價(jià)重塑全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的超級(jí)周期
自2025年下半年以來，全球存儲(chǔ)器（DRAM與NAND）市場(chǎng)進(jìn)入由AI需求驅(qū)動(dòng)的“超級(jí)周期”，價(jià)格飆升正引發(fā)整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的連鎖反應(yīng)。這一輪漲價(jià)潮不僅重塑了行業(yè)格局，也對(duì)下游的終端產(chǎn)品價(jià)格、供應(yīng)鏈穩(wěn)定及國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。
漲價(jià)風(fēng)暴核心數(shù)據(jù) DRAM現(xiàn)貨價(jià)格暴漲
DDR5 16Gb顆粒 +102% (單月漲幅) DDR4 16Gb顆粒 > +90% (單月漲幅) HBM單價(jià)漲幅 > +50% (2026年協(xié)議價(jià))
漲價(jià)原因：AI需求與供給側(cè)調(diào)整的雙重驅(qū)動(dòng)——本輪存儲(chǔ)芯片漲價(jià)的核心根源在于AI算力需求的爆發(fā)式增長(zhǎng)與供給端的結(jié)構(gòu)性調(diào)整，兩者共同導(dǎo)致了嚴(yán)重的供需失衡。
需求端：AI技術(shù)重構(gòu)存儲(chǔ)格局
AI大模型訓(xùn)練和推理對(duì)存儲(chǔ)的需求呈現(xiàn)“量?jī)r(jià)齊升”特征。單臺(tái)AI服務(wù)器的DRAM用量是傳統(tǒng)服務(wù)器的8倍，NAND用量是3倍。特別是高帶寬內(nèi)存（HBM），因其堆疊技術(shù)復(fù)雜，消耗的晶圓產(chǎn)能是標(biāo)準(zhǔn)DRAM的三倍以上，成為需求增長(zhǎng)的核心引擎。
供給端：產(chǎn)能向高利潤(rùn)產(chǎn)品轉(zhuǎn)移
三星、SK海力士和美光三大存儲(chǔ)巨頭為追求更高利潤(rùn)，將大量產(chǎn)能從利潤(rùn)較低的DDR4、LPDDR4等傳統(tǒng)存儲(chǔ)轉(zhuǎn)向HBM和DDR5等高利潤(rùn)產(chǎn)品，導(dǎo)致傳統(tǒng)存儲(chǔ)供應(yīng)量削減了約25%。同時(shí)，在經(jīng)歷了2023-2024年的資本開支削減和產(chǎn)能收縮后，行業(yè)庫(kù)存處于歷史低位，為漲價(jià)提供了基礎(chǔ)。
產(chǎn)業(yè)鏈影響：幾家歡喜幾家愁
存儲(chǔ)器作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其價(jià)格飆升正通過成本傳導(dǎo)和供需緊張，影響著從上游到下游的各個(gè)環(huán)節(jié)，呈現(xiàn)出明顯的分化效應(yīng)。
上游原廠 (三星、SK海力士、美光) 利潤(rùn)空間顯著改善，業(yè)績(jī)表現(xiàn)強(qiáng)勁，開啟“超級(jí)周期”。
下游終端廠商 (手機(jī)、PC、汽車) 面臨成本壓力，被迫漲價(jià)或調(diào)整產(chǎn)品配置以維持利潤(rùn)。
中游及代工廠 (江波龍、中芯國(guó)際) 短期受益于漲價(jià)，但面臨成本與供應(yīng)鏈配套的雙重壓力。
1. 上游：存儲(chǔ)芯片原廠利潤(rùn)改善 存儲(chǔ)芯片原廠是此輪漲價(jià)潮的最大受益者。憑借對(duì)市場(chǎng)的主導(dǎo)權(quán)和產(chǎn)能的謹(jǐn)慎擴(kuò)張策略，三星、SK海力士和美光等公司不僅上調(diào)了HBM和DDR5等高端產(chǎn)品的價(jià)格，其傳統(tǒng)產(chǎn)品也因供應(yīng)緊張而水漲船高，利潤(rùn)空間顯著改善，業(yè)績(jī)表現(xiàn)強(qiáng)勁，開啟了行業(yè)公認(rèn)的“超級(jí)周期”。
2. 中游：封測(cè)與邏輯代工業(yè)面臨挑戰(zhàn) 對(duì)于中游的封裝測(cè)試廠商和邏輯代工廠，本輪漲價(jià)的影響更為復(fù)雜。一方面，存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲為它們提供了更高的利潤(rùn)空間。但另一方面，存儲(chǔ)芯片成本的暴漲正在嚴(yán)重?cái)D壓下游終端產(chǎn)品的利潤(rùn)空間，導(dǎo)致終端廠商（如手機(jī)、汽車制造商）對(duì)其他配套芯片（如PMIC、CIS、MCU）的采購(gòu)持謹(jǐn)慎態(tài)度，甚至要求降價(jià)，從而給中芯國(guó)際等邏輯代工廠帶來了巨大的成本壓力。
3. 下游：終端產(chǎn)品成本壓力劇增 漲價(jià)潮對(duì)消費(fèi)電子、汽車電子等下游產(chǎn)業(yè)造成了直接的成本沖擊。手機(jī)、PC等產(chǎn)品的BOM成本因此上升，迫使廠商采取“小幅漲價(jià)+存儲(chǔ)配置下調(diào)”的策略應(yīng)對(duì)，例如在部分機(jī)型中將運(yùn)行內(nèi)存從16GB降至12GB。這不僅影響了消費(fèi)者的選擇，也可能加劇市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局。
國(guó)產(chǎn)替代加速與未來趨勢(shì)
在全球供應(yīng)鏈重構(gòu)的背景下，本輪漲價(jià)潮為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈帶來了加速發(fā)展的歷史性機(jī)遇。國(guó)內(nèi)廠商正加速在關(guān)鍵設(shè)備和材料領(lǐng)域的突破，并積極擴(kuò)產(chǎn)，以應(yīng)對(duì)日益緊張的市場(chǎng)環(huán)境。
1. 國(guó)產(chǎn)設(shè)備與材料取得突破 在刻蝕、薄膜沉積、量測(cè)等關(guān)鍵設(shè)備上，國(guó)內(nèi)廠商如中微公司、北方華創(chuàng)等已取得突破，部分設(shè)備已在長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等國(guó)內(nèi)產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)或驗(yàn)證，打破了國(guó)外廠商的壟斷，為供應(yīng)鏈的自主可控奠定了基礎(chǔ)。
2. 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商加速擴(kuò)產(chǎn) 長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢第三工廠預(yù)計(jì)2027年投產(chǎn)，規(guī)劃月產(chǎn)能15萬(wàn)片。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)也啟動(dòng)了高端DDR5產(chǎn)品的量產(chǎn)計(jì)劃，并計(jì)劃提升國(guó)產(chǎn)設(shè)備的采購(gòu)占比。這表明中國(guó)正在積極提升自身存儲(chǔ)產(chǎn)能，以應(yīng)對(duì)未來的需求。
3. 未來趨勢(shì)預(yù)測(cè)
摩根士丹利預(yù)測(cè)，在AI需求的持續(xù)驅(qū)動(dòng)下，存儲(chǔ)行業(yè)有望在2025年實(shí)現(xiàn)2000億美元的收入，并在2027年接近3000億美元。然而，這一增長(zhǎng)路徑并非一帆風(fēng)順，預(yù)計(jì)到2026年，行業(yè)將呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)性分化：高端AI相關(guān)芯片（HBM、先進(jìn)制程SoC）因技術(shù)壁壘高，供需緊張格局難以快速緩解；而消費(fèi)電子領(lǐng)域的中低端芯片，隨著產(chǎn)能調(diào)整與需求變化，可能在2026年進(jìn)入價(jià)格調(diào)整階段。
6 ）特朗普按下創(chuàng)世紀(jì)按鈕，AI曼哈頓計(jì)劃正式啟動(dòng)！
特朗普正式簽署「創(chuàng)世紀(jì)計(jì)劃」，打響AI版「曼哈頓計(jì)劃」！核心任務(wù)由美國(guó)能源部掛帥，集結(jié)舉國(guó)超算資源與聯(lián)邦數(shù)據(jù)，誓打造「美國(guó)科學(xué)與安全平臺(tái)」。
劍指核聚變、芯片、生物技術(shù)等六大命門，勒令9個(gè)月內(nèi)構(gòu)建AI科研閉環(huán)。2025年11月24日，美國(guó)白宮，特朗普正式簽署，「創(chuàng)世紀(jì)計(jì)劃」（Genesis Mission）正式啟動(dòng)！
這是一項(xiàng)被比作「AI曼哈頓計(jì)劃」的重大行政命令。這項(xiàng)計(jì)劃的核心目標(biāo)是：加速利用AI推動(dòng)科學(xué)突破！行動(dòng)計(jì)劃是由美國(guó)能源部（DOE）領(lǐng)導(dǎo)，利用國(guó)家超級(jí)計(jì)算機(jī)和聯(lián)邦科學(xué)數(shù)據(jù)，構(gòu)建一個(gè)全新的「美國(guó)科學(xué)與安全平臺(tái)（ASSP，American Science and Security Platform）」。它不僅是美國(guó)科技政策的一次重大轉(zhuǎn)向，更是一份充滿野心的「戰(zhàn)書」。
白宮在文件中直言不諱地將此次任務(wù)比作二戰(zhàn)時(shí)期的「曼哈頓計(jì)劃」，旨在調(diào)動(dòng)美國(guó)所有的研發(fā)資源，在人工智能驅(qū)動(dòng)的科學(xué)發(fā)現(xiàn)領(lǐng)域確立全球霸權(quán)。這種級(jí)別的資源整合和動(dòng)員程度是歷史級(jí)別的。根據(jù)能源部幕僚長(zhǎng)卡爾·科（Carl Coe）在田納西州諾克斯維爾能源會(huì)議上的透露，本屆特朗普政府已將AI競(jìng)賽的戰(zhàn)略高度，直接對(duì)標(biāo)當(dāng)年的「曼哈頓計(jì)劃」或美蘇太空競(jìng)賽。
核心目標(biāo)：贏得全球AI技術(shù)競(jìng)賽行政令開篇明義：美國(guó)正處于爭(zhēng)奪全球技術(shù)主導(dǎo)權(quán)的激烈競(jìng)賽中。「創(chuàng)世紀(jì)任務(wù)」的核心邏輯在于——利用AI加速科學(xué)發(fā)現(xiàn)。美國(guó)政府認(rèn)為，當(dāng)前的挑戰(zhàn)需要一場(chǎng)歷史性的國(guó)家行動(dòng)。該任務(wù)將由美國(guó)能源部（DOE）牽頭，整合國(guó)家實(shí)驗(yàn)室、頂尖大學(xué)和私營(yíng)企業(yè)的力量。其終極目標(biāo)非常明確：加速科學(xué)突破強(qiáng)化國(guó)家安全確保能源主導(dǎo)地位成倍提升納稅人研發(fā)投資的回報(bào)率打造「美國(guó)科學(xué)與安全平臺(tái)」為了支撐這一宏大愿景，行政令要求建立「美國(guó)科學(xué)與安全平臺(tái)」。這不僅僅是一個(gè)軟件系統(tǒng)，而是美國(guó)未來科研的「數(shù)字化基礎(chǔ)設(shè)施」。該平臺(tái)將整合：全球最大的聯(lián)邦科學(xué)數(shù)據(jù)集：由美國(guó)政府?dāng)?shù)十年投資積累。
今天，白宮再次試圖用「創(chuàng)世紀(jì)任務(wù)」點(diǎn)燃數(shù)字時(shí)代的火焰。「創(chuàng)世紀(jì)任務(wù)」的啟動(dòng)，不僅僅是一紙行政令，更是一聲劃破長(zhǎng)空的起跑槍響。當(dāng)美國(guó)將AI上升到與「曼哈頓計(jì)劃」同等的戰(zhàn)略高度，意味著這不再是單純的商業(yè)競(jìng)爭(zhēng)，而是國(guó)運(yùn)的角力。從核聚變到生物計(jì)算，從算力壟斷到數(shù)據(jù)閉環(huán)，美國(guó)正在舉全國(guó)之力，試圖在下一次工業(yè)革命爆發(fā)前筑起高墻。
對(duì)于全球而言，這既是技術(shù)加速的福音，也是巨大的競(jìng)爭(zhēng)壓力。2025年的冬天，科技史的齒輪轉(zhuǎn)動(dòng)得震耳欲聾。在這場(chǎng)通往「奇點(diǎn)」的人類狂奔中，無人能置身事外。
7 ) 谷歌的人工智能芯片能挑戰(zhàn)英偉達(dá)，為什么？
谷歌的人工智能芯片（TPU）之所以被認(rèn)為能挑戰(zhàn)英偉達(dá)，主要基于以下幾個(gè)關(guān)鍵原因：
1. 專用架構(gòu)帶來極致能效
谷歌TPU采用專用集成電路（ASIC）設(shè)計(jì)，專為AI張量運(yùn)算優(yōu)化，使用脈動(dòng)陣列架構(gòu)高效執(zhí)行矩陣乘法，砍掉了與AI無關(guān)的冗余邏輯。相比通用型的英偉達(dá)GPU，TPU在AI推理和訓(xùn)練中能實(shí)現(xiàn)30%甚至更高的能效比，尤其適合大規(guī)模AI負(fù)載 。
2. 系統(tǒng)級(jí)互聯(lián)與光交換技術(shù)
谷歌在TPU Pod中引入自研的Apollo光交換（OCS）系統(tǒng)，通過MEMS反射鏡動(dòng)態(tài)重構(gòu)芯片間連接，實(shí)現(xiàn)毫秒級(jí)故障恢復(fù)和極低延遲。這種“光互聯(lián)+動(dòng)態(tài)拓?fù)洹蹦芰Γ蛊湓谌f(wàn)卡級(jí)集群訓(xùn)練中具備極強(qiáng)的穩(wěn)定性與擴(kuò)展性，是英偉達(dá)NVLink難以復(fù)制的優(yōu)勢(shì) 。
3. 垂直整合的“全棧”戰(zhàn)略
谷歌構(gòu)建起“芯片（TPU）+編譯器（XLA）+框架（JAX/TensorFlow）+云（GCP）”的閉環(huán)生態(tài)，形成類似“Mac+macOS”的垂直整合模式。這種深度優(yōu)化使得TPU在特定AI任務(wù)上性能極致，且用戶無需擔(dān)心兼容性問題，尤其在大規(guī)模推理場(chǎng)景中優(yōu)勢(shì)明顯 。
4. AI市場(chǎng)重心轉(zhuǎn)向推理，TPU精準(zhǔn)卡位
隨著AI模型進(jìn)入部署階段，推理需求爆發(fā)，遠(yuǎn)超訓(xùn)練頻率。谷歌第七代TPU（Ironwood）專為推理優(yōu)化，單芯片具備192GB HBM3e內(nèi)存與4,614 TFLOPS算力，9,216芯片組成的SuperPod實(shí)現(xiàn)42.5 ExaFLOPS性能，是英偉達(dá)Blackwell集群的近4倍，能效也翻倍提升 。
5. Gemini 3成功驗(yàn)證TPU實(shí)力
谷歌最新大模型Gemini 3完全基于TPU訓(xùn)練，性能媲美甚至超越OpenAI的ChatGPT，顯著提升了市場(chǎng)對(duì)TPU作為英偉達(dá)替代方案的信心。這一“模型+芯片”協(xié)同突破，證明TPU已具備支撐頂尖AI模型訓(xùn)練的能力 。
6. 從云租賃到本地部署，商業(yè)模式升級(jí)
谷歌不再僅限于通過GCP出租TPU，還推出“TPU@Premises”方案，允許客戶在自有數(shù)據(jù)中心部署TPU，并提供兼容PyTorch的管理軟件，降低遷移門檻。這一策略直擊英偉達(dá)Cuda生態(tài)的核心優(yōu)勢(shì)，有望打破其市場(chǎng)壟斷 。
總結(jié)：
谷歌TPU憑借專用架構(gòu)、系統(tǒng)級(jí)互聯(lián)、垂直整合、推理優(yōu)化、模型驗(yàn)證與商業(yè)模式創(chuàng)新，正在AI芯片市場(chǎng)形成對(duì)英偉達(dá)的真實(shí)挑戰(zhàn)。盡管英偉達(dá)仍在通用性和生態(tài)廣度上占優(yōu)，但TPU在特定AI場(chǎng)景下已展現(xiàn)出“手術(shù)刀”般的精準(zhǔn)效率，成為英偉達(dá)不可忽視的對(duì)手。
8 ）美國(guó)防部將華虹等8家中企列入涉軍企業(yè)名單！
當(dāng)?shù)貢r(shí)間10月7日，美國(guó)國(guó)防部副部長(zhǎng)斯蒂芬·范伯格（Stephen Feinberg）向美國(guó)眾議院和參議院軍事委員會(huì)負(fù)責(zé)人致函。信中明確表示，依據(jù)相關(guān)法令，國(guó)防部在審閱最新信息后，已認(rèn)定8個(gè)實(shí)體為“中國(guó)軍事企業(yè)”，并將其列入“中國(guó)軍事企業(yè)清單”（即CMC清單，也被稱為1260H清單）。 這8家被點(diǎn)名的企業(yè)分別為： 阿里巴巴、百度、比亞迪、成都新易盛通信技術(shù)股份有限公司（Eoptolink Technology Inc.）、華虹半導(dǎo)體有限公司（Hua Hong Semiconductor Ltd.）、速騰聚創(chuàng)科技有限公司（RoboSense Technology Co.）、藥明康德（WuXi AppTec Co.）以及中際旭創(chuàng)股份有限公司（Zhongji Innolight co.）。
企業(yè)一旦被列入1260H清單，將面臨諸多不利影響。企業(yè)聲譽(yù)會(huì)遭受損害，業(yè)務(wù)開展也會(huì)受到限制，出口管制措施可能進(jìn)一步收緊。同時(shí)，企業(yè)正常的投資計(jì)劃可能被打亂，人才流失風(fēng)險(xiǎn)增加，甚至在某些州無法購(gòu)買土地用于擴(kuò)大生產(chǎn)。 美國(guó)國(guó)防部頻繁更新“中國(guó)軍事企業(yè)清單”，將華虹半導(dǎo)體等眾多中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)無端列入其中，其背后是妄圖遏制中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起的險(xiǎn)惡用心。
被列入清單后，中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)面臨重重困境。出口管制使先進(jìn)設(shè)備、關(guān)鍵材料獲取受阻，技術(shù)研發(fā)進(jìn)程被打亂；業(yè)務(wù)合作受限，國(guó)際市場(chǎng)份額遭擠壓，資金回籠與再投入困難重重；人才也可能因企業(yè)前景不明而流失。
然而，挑戰(zhàn)亦是機(jī)遇。中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)加大自主研發(fā)投入，在芯片設(shè)計(jì)、制造工藝等關(guān)鍵領(lǐng)域不斷突破。政府也出臺(tái)一系列政策，從資金支持到人才培養(yǎng)，全方位助力產(chǎn)業(yè)發(fā)展。同時(shí)，國(guó)內(nèi)龐大的市場(chǎng)需求為企業(yè)提供了廣闊的成長(zhǎng)空間。在多方合力下，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正逐步擺脫對(duì)外部的過度依賴，構(gòu)建自主可控的產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)，向著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地穩(wěn)步邁進(jìn)。
9 ）追趕臺(tái)積電，日本Rapidus計(jì)劃2029年生產(chǎn)1.4納米芯片
Rapidus向經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省提交的“事業(yè)計(jì)劃”已獲得批準(zhǔn)。經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省于11月21日表示，除上述1000億日元出資外，還計(jì)劃在2026-2027財(cái)年期間向Rapidus追加資金支持超過1萬(wàn)億日元。其中，經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省計(jì)劃2026財(cái)年向Rapidus援助約6300億日元，同時(shí)通過IPA向Rapidus出資約1500億日元；后續(xù)還計(jì)劃2027財(cái)年向Rapidus援助約3000億日元。
Rapidus首座晶圓廠位于北海道千歲市，計(jì)劃2027年下半年正式量產(chǎn)，產(chǎn)品主要面向自動(dòng)駕駛、人工智能等高端應(yīng)用領(lǐng)域。第二座晶圓廠的建設(shè)將加速1.4納米及1納米芯片的研發(fā)與量產(chǎn)進(jìn)程。
Rapidus自2022年成立以來，已與IBM、Tenstorrent等國(guó)際企業(yè)開展合作，并獲得豐田、索尼等日本企業(yè)巨頭的支持。2025年7月，Rapidus在千歲廠的IIM-1工廠啟動(dòng)2納米全環(huán)繞柵極（GAA，Gate-All-Around）芯片試生產(chǎn)，并于7月中旬向媒體公開試制品，展示技術(shù)進(jìn)展。
盡管Rapidus的發(fā)展進(jìn)度落后于臺(tái)積電，但該企業(yè)目標(biāo)在2029年實(shí)現(xiàn)1.4納米芯片量產(chǎn)，力爭(zhēng)在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)占據(jù)一席之地。臺(tái)積電預(yù)計(jì)2025年第四季度量產(chǎn)2納米芯片，2028年量產(chǎn)1.4納米芯片日本半導(dǎo)體制造商Rapidus近日宣布，計(jì)劃于2027財(cái)年在北海道建設(shè)第二座晶圓廠，預(yù)計(jì)最快2029年開始生產(chǎn)先進(jìn)的1.4納米芯片。此舉旨在縮小與全球芯片制造巨頭臺(tái)積電的差距，重建日本在先進(jìn)半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略自主能力。
據(jù)日經(jīng)亞洲報(bào)道，Rapidus第二座晶圓廠總投資預(yù)計(jì)將超過2萬(wàn)億日元。日本政府將提供數(shù)千億日元直接投資與補(bǔ)貼。剩余資金通過大型銀行貸款及民營(yíng)企業(yè)投資補(bǔ)足，貸款部分由政府提供擔(dān)保。
10 ) 在AI時(shí)代高速增長(zhǎng)的底層邏輯
在AI技術(shù)飛速發(fā)展的“AI時(shí)代”，ASIC（專用集成電路）芯片市場(chǎng)正經(jīng)歷著顯著的增長(zhǎng)。這并非偶然，而是由其獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)、市場(chǎng)需求的結(jié)構(gòu)性轉(zhuǎn)變以及產(chǎn)業(yè)生態(tài)的演進(jìn)共同驅(qū)動(dòng)的結(jié)果。ASIC通過為特定應(yīng)用量身定制硬件架構(gòu)，在性能、能效和成本上展現(xiàn)出通用芯片難以匹敵的優(yōu)勢(shì)，從而在AI推理、邊緣計(jì)算等關(guān)鍵領(lǐng)域迅速崛起，成為算力市場(chǎng)中不可或缺的核心力量。
核心驅(qū)動(dòng)力概覽 ASIC市場(chǎng)增長(zhǎng)引擎
技術(shù)優(yōu)勢(shì) 高能效比，低成本，高可靠性
市場(chǎng)需求 AI推理需求激增，算力缺口顯現(xiàn)
產(chǎn)業(yè)生態(tài) 云廠商自研，Chiplet技術(shù)成熟
技術(shù)與經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)：
ASIC的“專用化”紅利：ASIC的核心價(jià)值在于其“專用化”特性，這使其在性能、成本和可靠性上具備顯著優(yōu)勢(shì)。
高能效比與低成本： ASIC通過全定制設(shè)計(jì)，針對(duì)特定算法進(jìn)行硬件級(jí)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了遠(yuǎn)超通用GPU的能效比。在AI推理、5G通信、物聯(lián)網(wǎng)等對(duì)功耗和成本敏感的場(chǎng)景中，其優(yōu)勢(shì)尤為突出。
高可靠性與集成度： 為特定場(chǎng)景設(shè)計(jì)的ASIC通常擁有更簡(jiǎn)化的架構(gòu)和更優(yōu)的集成方案，這不僅提升了芯片的可靠性，也滿足了自動(dòng)駕駛、智能安防等對(duì)實(shí)時(shí)性和穩(wěn)定性的嚴(yán)苛要求。
市場(chǎng)需求結(jié)構(gòu)性轉(zhuǎn)變：從“訓(xùn)練”到“推理”
隨著AI大模型從研發(fā)階段走向大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用，算力需求的重心正在發(fā)生關(guān)鍵轉(zhuǎn)移，從資源密集的模型訓(xùn)練轉(zhuǎn)向應(yīng)用廣泛的模型推理，這為ASIC創(chuàng)造了巨大的市場(chǎng)空間。
需求重心轉(zhuǎn)移 AIGC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展正驅(qū)動(dòng)算力需求結(jié)構(gòu)發(fā)生轉(zhuǎn)變。數(shù)據(jù)顯示，2023年上半年中國(guó)訓(xùn)練工作負(fù)載占比為 49.4% ，而到2027年，推理工作負(fù)載預(yù)計(jì)將攀升至 72.6% 。推理算力已成為新的需求核心。
算力缺口與成本驅(qū)動(dòng)
由于部分GPU產(chǎn)品供應(yīng)受限，導(dǎo)致AI算力出現(xiàn)缺口。同時(shí)，為了控制成本并更好地適配自身業(yè)務(wù)，許多頭部互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)開始增大自研ASIC芯片服務(wù)器的部署。ASIC的“定制化”特性使其能更精準(zhǔn)地匹配業(yè)務(wù)需求，從而降低總體擁有成本。
產(chǎn)業(yè)生態(tài)演進(jìn)：自研與技術(shù)融合 產(chǎn)業(yè)生態(tài)的成熟為ASIC的爆發(fā)式增長(zhǎng)提供了土壤。科技巨頭紛紛下場(chǎng)自研，同時(shí)先進(jìn)封裝技術(shù)的突破，如Chiplet（芯粒），為ASIC帶來了新的發(fā)展機(jī)遇。
云巨頭自研ASIC
谷歌 TPU 性能提升超30倍，亞馬遜 Trainium 集群算力提升5倍， Meta 等 加速自研ASIC芯片
市場(chǎng)規(guī)模與未來預(yù)測(cè)：多家研究機(jī)構(gòu)對(duì)ASIC芯片的未來市場(chǎng)表現(xiàn)出高度樂觀。無論是全球還是中國(guó)市場(chǎng)，其規(guī)模都預(yù)計(jì)將迎來爆發(fā)式增長(zhǎng)。
市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)：全球市場(chǎng) (2024) 120億 美元，全球市場(chǎng) (2030) >500億 美元
總結(jié) ：綜上所述，ASIC芯片在AI時(shí)代的高速增長(zhǎng)是多重因素共同作用的結(jié)果。技術(shù)上，其“專用化”帶來的極致能效和成本優(yōu)勢(shì)是根本；市場(chǎng)上，AI應(yīng)用從訓(xùn)練轉(zhuǎn)向推理，以及GPU供應(yīng)缺口，創(chuàng)造了巨大的需求空間；生態(tài)上，科技巨頭的自研和Chiplet等技術(shù)的成熟，為其規(guī)模化應(yīng)用鋪平了道路。因此，ASIC正從一個(gè)特定領(lǐng)域的“配角”轉(zhuǎn)變?yōu)檎麄€(gè)AI算力市場(chǎng)的“主角”。
莫大康：浙江大學(xué)校友，求是緣半導(dǎo)體聯(lián)盟顧問。親歷50年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程的著名學(xué)者、行業(yè)評(píng)論家。