江蘇芯緣半導(dǎo)體有限公司
Jiangsu Thankyou Semiconductor Co.,Ltd.
1. HBM產(chǎn)能增大，價格看漲
1)．美光：
① 將2025年HBM規(guī)模從300億美元上修至350億美元，預(yù)計需求達(dá)22.5億GB，以每顆HBM3e-12Hi提供36GB計算，估需6,250萬顆。
② 2025年HBM產(chǎn)能已全數(shù)訂滿，訂單量約6億GB。
a）市場預(yù)估美光2025年HBM收入將達(dá)71億美元，占市場20％，反映市場低估美光產(chǎn)能利用率。
b）法人：雖然短期內(nèi)HBM3e-12Hi良率偏低，可能壓縮利潤率，但平均售價（ASP）高于8Hi版本，毛利率有望接近或超越8Hi水平。
2)．分析師：
① HBM出貨通常領(lǐng)先CoWoS產(chǎn)能建設(shè)一季，350億美元目標(biāo)具可行性。
② HBM3e-12Hi版本將快速普及，預(yù)計2025年占HBM3e需求的58％，較8Hi版本的占比大幅提升。
③ 因英偉達(dá)轉(zhuǎn)向HBM3e-12Hi，SK海力士對英偉達(dá)的HBM3e-8Hi出貨，將從2025年第一季的1.5億GB，大幅降至第二季的3,400萬GB，降幅近77％，并于第三季起停止供應(yīng)。
④ 美光HBM的競爭力持續(xù)提升，預(yù)測將因SK海力士HBM3e-12Hi產(chǎn)品的信號完整性問題，影響12Hi穩(wěn)定性，而搶占更多市場份額，并擴展至亞馬遜云端服務(wù)與超微。
3)．美光計劃于2025年底前將硅穿孔（TSV）產(chǎn)能從45～50KPM，擴增至60KPM。
① 三星因12Hi尚未通過英偉達(dá)驗證及HBM3e-12Hi技術(shù)適應(yīng)緩慢，短期內(nèi)難以大幅提升競爭力，市場供過于求風(fēng)險低。
② 目前英偉達(dá)與SK海力士及美光協(xié)商2026年HBM定價，在HBM4需求上升且供應(yīng)集中，價格上漲可能性看增。
2. 華為去年凈利年減28％
1)．華為2024年財報：
① 受惠于各主要業(yè)務(wù)收入成長，銷售收入年增22.4％至人民幣8,621億元，為史上次高。
② 受到研發(fā)費用年增9％，加上銷售和管理費用年增約11％等因素影響，期間內(nèi)凈利年減28％至626億元。
2)．聯(lián)合早報：
① 2024年華為主要業(yè)務(wù)：
a ICT基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)：收入貢獻(xiàn)最大，年增4.9％至3,699億元。
b）智慧手機及其他數(shù)位設(shè)備的終端業(yè)務(wù)：營收增長38％至3,390億元，是五大業(yè)務(wù)中增長第二快的。
c）智慧汽車解決方案業(yè)務(wù)：營收年增474.4％至264億元，并于2024年首次盈利，已有15款合作車型上市。
3)．華為2024年研發(fā)投入再創(chuàng)新高，費用達(dá)1,797億元，約占全年收入的20.8％，近十年累計投入的研發(fā)費用超過1.2萬億元。
① 截至2024年底，研發(fā)人員約11.3萬名，占員工總數(shù)54.1％，在全球共持有有效授權(quán)專利逾15萬件。
a）歐洲專利局：2024年遞交專利申請的企業(yè)中，韓國三星以5,107件專利申請量位居第一，華為以4,322件專利申請量緊追其后，韓國LG、美國高通分居三、四位，還有五家中國企業(yè)進(jìn)入前50名，分別是寧德時代、中興、小米、vivo和騰訊。
3. 英偉達(dá)全球第一！
根據(jù)Gartner的最終數(shù)據(jù)，2024年全球半導(dǎo)體行業(yè)將實現(xiàn)大幅增長，全球收入同比增長21%，達(dá)到6559億美元。英偉達(dá)首次登頂全球榜首，占據(jù)11.7%的市場份額，其次是三星電子和英特爾。
頂級廠商的這種變化反映了人工智能相關(guān)技術(shù)日益占據(jù)主導(dǎo)地位。Gartner 指出，數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施需求的大幅增長以及內(nèi)存收入 73.4% 的增長是此次格局調(diào)整的關(guān)鍵驅(qū)動因素。
據(jù)Gartner的洞察，Gupta指出，由于DRAM和閃存的雙雙上漲，三星仍保持第二的位置，而這得益于供需失衡后價格的反彈。與此同時，英特爾下滑至第三位，原因是其產(chǎn)品線競爭日益激烈，并且錯失了利用人工智能浪潮的機會。
4. 傳聯(lián)電及格芯合并
① 集邦科技統(tǒng)計，今年三月全球晶圓代工前十大業(yè)者：
a）聯(lián)電：市值169億美元、市占4.7％、排名第四。
b）格芯：市值約200億美元、市占4.6％、排名第五。
② 二家一旦合并，市占率將躍升至9.3％，超過中芯國際的5.5％及三星的8.1％，穩(wěn)居第二成為成熟制程的代表。
③ 以全球半導(dǎo)體戰(zhàn)略布局來看，美國將掌握全球成熟制程關(guān)鍵產(chǎn)量、技術(shù)及終端需求。
2)．以制程節(jié)點及主要市場客戶來看，二家公司各有所長，沒有明顯重覆。
① 聯(lián)電：
a）以22／28納米節(jié)點為重心。
b）由于受到大陸成熟制程產(chǎn)能持續(xù)開出，價格競爭形成營運上壓力，近年加速轉(zhuǎn)進(jìn)特殊、高壓等CMOS制程，特殊制程占比已超過五成。
c）以特殊制程和其余成熟制程的差異化，是聯(lián)電營運維持穩(wěn)健的主因。
② 格芯：
a）以12／14納米節(jié)點為主。
b）終端應(yīng)用主攻5G、IOT領(lǐng)域，主要客戶為美系高通、博通、AMD等。
3)．近年來焦點聚集在先進(jìn)制程及技術(shù)推進(jìn)，但成熟制程芯片卻與民生消費甚至國防武器高度相關(guān)，同時大陸也積極擴產(chǎn)。
① 業(yè)者：美國雖透過臺積電在先進(jìn)制程追趕，但成熟制程領(lǐng)域若要快速達(dá)成抗衡實力，透過并購提升市占率及影響力將是最有效的策略。
5. 日沖先進(jìn)半導(dǎo)體，續(xù)金援Rapidus
1)．日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省：
① 將向Rapidus追加最高日元8,025億元（約54億美元）的援助。
② 加上此前的9,200億元援助，已補助Rapidus總額將達(dá)日元1.72萬億元。
③ 資金將用來支持Rapidus在北海道千歲市工廠4月啟用試驗生產(chǎn)線，以及完成芯片技術(shù)開發(fā)。
2)．日本共同社：
① 力爭實現(xiàn)下一代半導(dǎo)體國產(chǎn)化的Rapidus，正與美國IBM合作開發(fā)2納米制程的半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)，目標(biāo)2027年量產(chǎn)。
② Rapidus從去年12月起引進(jìn)最先進(jìn)的制造設(shè)備等，積極推進(jìn)試產(chǎn)準(zhǔn)備工作。
③ 日本經(jīng)產(chǎn)省追加日元8,025億元援助，是在專家評審Rapidus今年度事業(yè)計劃后所做成的決定。
④ Rapidus將投入最高6,755億元用于試產(chǎn)和技術(shù)研發(fā)。
⑤ 計劃投入最多1,270億元用于確立芯片切割和封裝等后端工藝技術(shù)。
⑥ 除日元1.7225萬億元，日本政府還計劃依據(jù)修正后的法律在下半年再出資1,000億元日元。
6. 碳14核電池功能
碳 - 14 核電池是一種以碳 - 14 為放射性元素的核能電池，具有多方面重要功能：
提供超長壽命穩(wěn)定供電：碳 - 14 半衰期長達(dá) 5730 年，理論上碳 - 14 核電池可擁有數(shù)千年的超長壽命。如中國首款碳 - 14 核電池原型機 “燭龍一號”，其搭載碳 - 14 核電池的 LED 燈已持續(xù)工作近 4 個月，累計超過 35000 次脈沖閃爍，且 50 年設(shè)計壽命內(nèi)性能衰減率小于 5%，能為設(shè)備提供長期穩(wěn)定的能源供應(yīng)。
適應(yīng)極端溫度環(huán)境：碳 - 14 核電池具有出色的溫度適應(yīng)性，可在 - 100℃至 200℃的極端溫度下穩(wěn)定工作。這使其能在南極北極、宇宙深空等極端低溫環(huán)境，以及一些高溫特殊場景中正常供電，滿足特殊環(huán)境下設(shè)備的用電需求。
具備高能量密度：碳 - 14 核電池能量密度高達(dá) 2200mWh/g，是傳統(tǒng)鋰電池的 50 倍以上。每克燃料可釋放較多能量，能以較小的體積和重量為設(shè)備提供大量電能，便于攜帶和安裝，適用于對電池體積和重量有嚴(yán)格限制的場景。
支持毫瓦級脈沖放電與能量智能管理：該電池支持毫瓦級脈沖放電，可滿足一些需要脈沖式供電設(shè)備的需求，同時具備能量智能管理功能，能根據(jù)設(shè)備實際用電情況，智能分配能量，提高能源利用效率，適配不同場景需求。
實現(xiàn)綠色低碳零排放：碳 - 14 核電池不像傳統(tǒng)核反應(yīng)堆那樣產(chǎn)生溫室氣體排放，也不會產(chǎn)生長 - lived 放射性廢物，是一種綠色低碳能源，有利于環(huán)境保護(hù)和可持續(xù)發(fā)展。
保障特殊領(lǐng)域設(shè)備供電：在醫(yī)療領(lǐng)域，可為腦機接口、心臟起搏器等植入式設(shè)備提供永久能源，避免因電池更換帶來的手術(shù)風(fēng)險。在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，可支撐萬億級傳感器網(wǎng)絡(luò)，為深山、海洋深處等偏遠(yuǎn)地區(qū)的傳感器長期供電。在宇宙深空探測領(lǐng)域，可助力深空探測器持續(xù)工作，為其儀器儀表提供長期電力支持。
7. 下一代EUV光刻有多貴？
本報告將介紹今年大會的技術(shù)亮點及其市場影響。高數(shù)值孔徑 (HDNA) 是本次大會的主要議題，因為客戶（英特爾）的設(shè)備正在大規(guī)模生產(chǎn)晶圓。諸如圖案成形（AMAT Sculpta 和 TEL Acrevia）和定向自組裝等互補圖案化技術(shù)正在蓬勃發(fā)展。ASML 本身也已進(jìn)入下一個主題：CFET 時代的超高數(shù)值孔徑 (HyperNA)。
英特爾已全力投入高數(shù)值孔徑 EUV 光刻機，一年多前就安裝了第一臺出貨的光刻機 EXE:5000，并在不久后接收了第二批光刻機，以便在競爭中搶占先機，積累早期經(jīng)驗。
英特爾顯然將High NA EUV視為其推出14A節(jié)點產(chǎn)品戰(zhàn)略的關(guān)鍵組成部分，盡管他們曾表示14A節(jié)點僅需Low NA即可實現(xiàn)。目前，兩臺已完全安裝的設(shè)備已累計曝光了3萬片晶圓。
單憑一臺功能齊全的掃描器，僅僅是高數(shù)值孔徑難題的冰山一角。這條試產(chǎn)線還需要工藝、光罩（掩模版）和光學(xué)鄰近校正 (OPC) 等技術(shù)，才能在緊迫的 14A 時間表內(nèi)準(zhǔn)備就緒。這尤其困難，因為所有四個要素相互依存，這意味著開發(fā)必須按順序進(jìn)行。英特爾被迫在這方面進(jìn)行創(chuàng)新，并盡可能地實現(xiàn)并行化。
ASML 最新的高數(shù)值孔徑系統(tǒng) EXE:5000 重達(dá)驚人的150公噸，造價接近 4 億美元。其價格幾乎是低數(shù)值孔徑系統(tǒng)的兩倍，這直接導(dǎo)致更高的運營成本，最終導(dǎo)致晶圓成本的增加。
IBM 基于仿真以及他們在 Veldhoven High NA EUV 實驗室的工作，提出了幾項關(guān)鍵發(fā)現(xiàn)。首先，他們確定了用單次High NA 曝光替代多次Low NA 曝光，最可能帶來益處的14A層：
他們的成本分析集中在 SALELE 上，因為它具有最高的成本節(jié)約潛力，可以用一次High NA 曝光代替三到四次Low NA 曝光。此處的詳細(xì)信息填補了英特爾談話中遺漏的一些關(guān)鍵問題。首先，SALELE 中的工藝步驟數(shù)大約是High NA 單次曝光所需步驟的兩倍。回想一下，英特爾表示，對于他們的三掩模工藝，SALELE 大約有 40 個工藝步驟；因此，High NA 模塊中的步驟數(shù)仍然很重要。對于成本，IBM 聲稱四掩模 SALELE 工藝比單次High NA 曝光的成本高 1.7 到 2.1 倍。這個結(jié)果并不令人驚訝，但卻是一個很好的成本數(shù)據(jù)點——預(yù)計High NA 單次曝光將比三倍或四倍Low NA 曝光更便宜。
在14A工藝下，High NA僅在少數(shù)金屬層中具有成本優(yōu)勢，而英特爾工藝中它可以取代三層光罩。需要注意的是，臺積電在其A14工藝中并不一定使用三重EUV曝光，這是英特爾獨有的。英特爾指出，在其他層中，它提供了設(shè)計靈活性和工藝簡化——這些優(yōu)勢與成本無關(guān)。
ASML 目前的 EUV 設(shè)備由低數(shù)值孔徑 (NA) 型號組成，其光學(xué)元件數(shù)值孔徑 (NA) 為 0.33，可實現(xiàn) 13.5 納米的臨界尺寸 (CD)。這足以通過單次曝光圖案化實現(xiàn) 26 納米的最小金屬間距和 25-30 納米的近似互連間距。這些尺寸足以滿足 4 納米/5 納米級生產(chǎn)節(jié)點的需求。然而，業(yè)界需要 3 納米的間距達(dá)到 21-24 納米，因此臺積電的 N3B 工藝技術(shù)旨在采用低數(shù)值孔徑 EUV 雙重圖案化技術(shù)來打印盡可能小的間距。這種方法被認(rèn)為成本非常高昂。
具有 0.55 NA 光學(xué)元件的下一代High NA EUV 系統(tǒng)將實現(xiàn) 8nm 的 CD，這足以打印約 16nm 的最小金屬間距，這對于 3nm 以后的節(jié)點很有用，并且預(yù)計即使對于 1nm 也足夠好，至少根據(jù) Imec設(shè)想的數(shù)字。
增加投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑是一個昂貴的過程，涉及對光刻工具的設(shè)計進(jìn)行重大改變。具體來說，這包括機器的物理尺寸、開發(fā)許多新組件的需要以及成本增加的影響。ASML最近披露，低 NA EUV Twinscan NXE 機器的成本為1.83億美元或更高，具體取決于配置，而 High NA EUV Twinscan EXE 工具的價格為3.8億美元或更高，具體取決于配置。Hyper NA 的成本會更高，因此 ASML 必須回答兩個問題：它是否可以在技術(shù)上實現(xiàn)，以及對于領(lǐng)先的邏輯芯片制造商來說是否具有經(jīng)濟可行性。
只剩下三家領(lǐng)先的芯片制造商：英特爾、三星和臺積電。總部位于日本的 Rapidus 尚未發(fā)展成為可行的競爭對手。因此，雖然需要hyper NA EUV 光刻技術(shù)，但它必須是合理的價格。
“Hyper-NA 的引入將取決于我們能夠降低成本的程度，”Martin van den Brink曾表示 。“我曾多次走遍全球，與客戶探討 Hyper-NA 的必要性和可取性。最近幾個月，我逐漸確信并了解到，客戶希望進(jìn)一步降低分辨率，因此 Hyper-NA 有可能用于邏輯和內(nèi)存芯片的量產(chǎn)。這將在未來十年左右實現(xiàn)。但最終取決于成本。”Martin van den Brink在2023年的采訪中提到。
8. 中國先進(jìn)封裝廠商業(yè)績飆升
長電科技先進(jìn)封裝產(chǎn)能持續(xù)緊張，以晶圓級封裝為主的先進(jìn)封裝及高端測試領(lǐng)域已處于滿產(chǎn)狀態(tài)。為滿足客戶旺盛的需求，公司正全力擴產(chǎn)。
通富微電持續(xù)推進(jìn)多點布局戰(zhàn)略，目前已在南通、蘇州、合肥、馬來西亞檳城形成產(chǎn)能協(xié)同網(wǎng)絡(luò)。其中南通擁有三個生產(chǎn)基地，先進(jìn)封裝產(chǎn)線持續(xù)擴張，為公司帶來更為明顯的規(guī)模優(yōu)勢。其Memory二期項目首臺設(shè)備入駐，新增關(guān)鍵設(shè)備助力高端產(chǎn)品量產(chǎn)；通富通達(dá)先進(jìn)封測基地項目開工，聚焦多層堆疊等先進(jìn)封裝產(chǎn)品，涉足通訊、存儲器等關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域。
華天科技新生產(chǎn)基地建設(shè)穩(wěn)步推進(jìn)，華天江蘇、華天上海已進(jìn)入生產(chǎn)階段，盤古半導(dǎo)體FOPLP生產(chǎn)線建設(shè)也已啟動。2024 年，華天南京集成電路先進(jìn)封測產(chǎn)業(yè)基地二期項目在浦口區(qū)奠基，該項目投資 100 億元，預(yù)計 2028 年完成全部建設(shè)。產(chǎn)品將廣泛應(yīng)用于存儲、射頻、算力、自動駕駛等領(lǐng)域，達(dá)產(chǎn)后預(yù)計企業(yè)年產(chǎn)值可達(dá) 60 億元。之后，華天科技投資 48 億元的汽車電子產(chǎn)品生產(chǎn)線升級項目開工，項目建成后，預(yù)計年新增銷售收入 21.59 億元，QFP 封裝產(chǎn)能預(yù)計可達(dá)到 10KK / 天。
9. Gartner最終結(jié)果：2024年全球半導(dǎo)體收入增長21%
根據(jù)Gartner公司的最終結(jié)果，2024年全球半導(dǎo)體收入總計6559億美元，較2023年的5421億美元增長21%。
10. 2025中國芯片第一戰(zhàn)打響
3月17日，華大九天發(fā)布公告稱，擬發(fā)行股份及支付現(xiàn)金收購芯和半導(dǎo)體科技（上海）股份有限公司100%股份。
10天后，同為EDA供應(yīng)商的概倫電子發(fā)布公告稱，正在籌劃收購成都銳成芯微，參與到“并購戰(zhàn)爭”當(dāng)中。4月11日，概倫電子再發(fā)公告，確認(rèn)擬重組并全資控股銳成芯微，并同步實現(xiàn)對納能微的全資收購。
華大九天成立于2009年，時間不算早，但其核心團(tuán)隊和業(yè)務(wù)在EDA領(lǐng)域有三十多年傳承。
華大九天的核心團(tuán)隊，在上世紀(jì)的90年代就研發(fā)了中國第一款自主知識產(chǎn)權(quán)的 EDA 工具——“熊貓系統(tǒng)”，從行業(yè)獨行者發(fā)展成為帶頭老大，本土色彩突出。
國內(nèi)首個具有自主知識產(chǎn)權(quán)的ICCAD系統(tǒng)，1993 年獲得國家科技進(jìn)步一等獎 來源：華西證券
2023年，概倫電子收購福州芯智聯(lián)。2024年，華大九天收購阿卡思控股權(quán)。這兩個案子都是近兩年發(fā)生的，不過交易邏輯各不相同。
半導(dǎo)體是一個高集中的行業(yè)，技術(shù)密集、資金密集、贏者通吃，其產(chǎn)業(yè)發(fā)展史，本身也是一部并購史，這在EDA領(lǐng)域的集中尤為顯著——全球范圍只有三家大型公司，Synopsys（新思）、Cadence（楷登）和Siemens（西門子），這三家公司基本都是在經(jīng)歷了幾十、上百起并購之后，成功突出重圍，形成今天三足鼎立的局面。
莫大康：浙江大學(xué)校友，求是緣半導(dǎo)體聯(lián)盟顧問。親歷50年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程的著名學(xué)者、行業(yè)評論家。